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測(cè)量項(xiàng)目
M系列小型手動(dòng)探針臺(tái)
兼容4/6寸平臺(tái)大小
測(cè)試器件的PAD點(diǎn)大于30μm
DC直流/(IV、CV、I-t、V-t),DC直流/低電流(100fA級(jí))測(cè)試,1/f噪聲測(cè)試,器件表征測(cè)試,RF射頻
E系列 增強(qiáng)型手動(dòng)探針臺(tái)
兼容4/6/8寸平臺(tái)
能實(shí)現(xiàn)1μm以上的電極Pad測(cè)試
毫米波mmW,FA、MEMS、WLR和光電等測(cè)試
H系列綜合性手動(dòng)探針臺(tái)
兼容6/8/12寸平臺(tái)
卡盤(pán)移動(dòng)技術(shù),可滿足客戶對(duì)整片晶圓高效測(cè)試的需求
可搭配不同的套件實(shí)現(xiàn)更寬泛的測(cè)試功能
FA系列 失效分析型探針臺(tái)
兼容1/2寸平臺(tái)
兼容高倍率金相顯微鏡,可達(dá)到1μm以上的Pad測(cè)試
高精度系統(tǒng),激光加工精度可達(dá)1*1μm
C系列 高低溫手動(dòng)探針臺(tái)
兼容12寸平臺(tái)
高低溫環(huán)境下,0.2微米以上芯片內(nèi)部線路/電極/PAD測(cè)試、高頻、射頻測(cè)試
高低溫環(huán)境下,LD/LED/PD測(cè)試,PCB/封裝器件測(cè)試,材料/器件的IV/CV特性測(cè)試
CG真空高低溫探針臺(tái)
兼容2/4寸平臺(tái)
探針定位精確為10um,探針漂移量?jī)?yōu)于土60nm/30mins的高精度點(diǎn)針
實(shí)現(xiàn)測(cè)試漏電精度達(dá)50FA
X系列 半自動(dòng)探針臺(tái)
集成了電學(xué)、光波、微波等多功能,半自動(dòng)測(cè)試
兼容6/8/12寸平臺(tái)
可配備相應(yīng)的儀器儀表,進(jìn)行I-V、C-V、光信號(hào)、RF、1/f噪聲等特性分析,設(shè)備功能豐富
可升級(jí)大功率晶圓測(cè)試、射頻測(cè)試、全自動(dòng)測(cè)試
A系列 全自動(dòng)探針臺(tái)
全自動(dòng)化系統(tǒng)運(yùn)行,快速安全可靠測(cè)試
兼容12寸平臺(tái)
CHUCK高效測(cè)試系統(tǒng),運(yùn)行速度超200mm/s
可升級(jí)自動(dòng)wafer厚度測(cè)量和ID讀卡
Candela CS920
型 號(hào) :Candela CS920
產(chǎn) 地 :美國(guó)
采用光學(xué)表面分析(OSA)專(zhuān)用技術(shù)的自動(dòng)特征缺陷(DOI)檢測(cè)與分類(lèi)系統(tǒng)。
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KLA Candela光學(xué)表面缺陷分析儀(OSA)可對(duì)半導(dǎo)體及光電子材料進(jìn)行先進(jìn)的表面檢測(cè)。Candela系列既能夠檢測(cè)Si、砷化鎵、磷化銦等不透明基板,又能對(duì)SiC、GaN、藍(lán)寶石和玻璃等透明材料進(jìn)行檢測(cè),成為其制程中品質(zhì)管理及良率改善的有力工具。
?Candela系列采用光學(xué)表面分析(OSA)專(zhuān)用技術(shù),可同時(shí)測(cè)量散射強(qiáng)度、形狀變化、表面反射率和相位轉(zhuǎn)移,為特征缺陷(DOI)進(jìn)行自動(dòng)偵測(cè)與分類(lèi)。OSA檢測(cè)技術(shù)結(jié)合散射測(cè)量、橢圓偏光、反射測(cè)量與光學(xué)形狀分析等基本原理,以非破環(huán)性方式對(duì)Wafer表面的殘留異物,表面與表面下缺陷,形狀變化和薄膜厚度的均勻性進(jìn)行檢測(cè)。Candela系列擁有良好的靈敏度,使用于新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)管控,是一套極具成本效益的解決方案。
?二、 功能
????主要功能
????1. 缺陷檢測(cè)與分類(lèi)
????2. 缺陷分析
????3. 薄膜厚度測(cè)量
????4. 表面粗糙度測(cè)量
????5. 薄膜應(yīng)力檢測(cè)
????技術(shù)特點(diǎn)
????1. 單次掃描中結(jié)合四種光學(xué)檢測(cè)方法的單機(jī)解決方案,可實(shí)現(xiàn)高效的自動(dòng)化缺陷檢測(cè)與分離;
????2. 對(duì)LED材料的缺陷進(jìn)行自動(dòng)檢測(cè),從而增強(qiáng)襯底的質(zhì)量管控,迅速確定造成缺陷的根本原因并改進(jìn)MOCVD品質(zhì)管控能力;
????3. 滿足多種工業(yè)要求,包括高亮度發(fā)光二極管(HBLED),高功率射頻電子器件,透明玻璃基板等技術(shù);
????4. 在多個(gè)半導(dǎo)體材料系統(tǒng)中能更靈敏的檢測(cè)影響產(chǎn)品良率的缺陷。
????5. 自動(dòng)缺陷分類(lèi)功能(Auto Defect Classification)
(Particle, Scratch, Pit, Bump, and Stain Detection)
????6. 自動(dòng)生成缺陷mapping。
????技術(shù)能力
????1. 檢測(cè)缺陷尺寸>0.3μm;
????2. 大樣品尺寸:8 inch Wafer;
????3. 超過(guò)30種DOI的缺陷分類(lèi)。
????三、應(yīng)用案例
????1. 透明/非透明材質(zhì)表面缺陷檢測(cè)
2. MOCVD外延生長(zhǎng)成膜缺陷管控
3. PR膜厚均一性評(píng)價(jià)
?4. Clean制程清洗效果評(píng)價(jià)
?5. Wafer在CMP后表面缺陷分析