系統優(yōu)勢

·密閉系統有助于測量光靈敏或環(huán)境敏感樣品
·可容納最大直徑為300毫米的樣品
·可配置四探針（4PP)或非接觸式渦流（EC)模式
·15毫米的最大樣品高度
·方塊電阻測量范圍覆蓋十個量級
·可以使用矩形、線性、極坐標和自定義配置等采樣點排列方式進行測繪
·第高精度X-Y樣品臺
·業(yè)內較小的渦流測量尺寸
·易于使用的軟件界面
·兼容所有KLA方塊電阻探針

 

 

R54四探針和渦流測量方法

四探針（4PP）和渦流（EC）是測量方塊電阻的兩種常用技術。R54在接觸式四探針方法上覆蓋了10個電阻量級范圍，并配置了高分辨率和高靈敏度的非接觸式渦流方法，延續(xù)了KLA的創(chuàng)新歷史和優(yōu)勢地位。

 

四探針概述

四探針提供了一種簡單而直接的電阻測量方法。在所測導電層與襯底之間有一個非導電阻擋層時，由四個導電引腳組成的探針在受控的力的作用下接觸導電層表面。標準引腳配置在兩個外側引腳上施加電流，并測量兩個內側引腳上的電壓。為測量方塊電阻，導電層厚度應小于探針引腳間距的1/2。KLA開創(chuàng)了R54雙配置技術，可交替測量不同引腳上的電壓，對邊緣效應應用動態(tài)校正并糾正引腳間距誤差。KLA為導電薄膜或離子注入層提供多種的探針配置，以優(yōu)化表面材料特性的測量。

 

渦流概述

渦流是一種非接觸式的導電薄膜的方塊電阻測量技術。在線圈中施加變化的電流以產生變化的磁場。當線圈靠近導電表面時，變化的磁場會在導電表面中感應變化的（渦流）電流。這些渦流反過來產生自己的變化的磁場，該磁場與探針線圈藕合，產生與樣品的方塊電阻成正比的信號變化。KLA獨特的渦流解決方案使用單側（上部）探針，在每個測量點動態(tài)調整探針到樣品的高度，這對于測量的準確度和再現性至關重要。渦流方法不受表面氧化的影響，同時也是不太適合四探針接觸式方法的較軟樣品的理想選擇。

 

四探針與渦流方法之間的關系

KLA四探針和渦流解決方案在各自的常用范圍內都表現出良好的相關性。Filmetrics R54使用KLA先進的校準方法，
來確保四探針和渦流技術的測量精度。

市場分類和應用

汽車

太陽能

LED

半導體

電路板

平板顯示器

學術研究

 

晶圓加工

·金屬化層
·晶圓摻雜變化
·襯底表征
·離子注入變化分布
·激光退火表征技術

 

技術

·金屬沉積
·柔性襯底表征
·薄膜電導率
·分布圖

 

研發(fā)及其他應用

·金屬薄膜
·柔性薄膜電阻率
·可穿戴設備
·過濾網
·可充電電池
·多層薄膜表征