金屬薄膜的電阻均勻性對于確保元件性能至關重要，大多數金屬薄膜都可以通過4PP和EC進行測量。EC推薦用于較厚的高導電金屬膜，4PP適用于較薄的金屬膜(> 10Ω/sq)，但無論如何，4PP/EC均表現出極高相關性，從而可以確保使用任何一種方法都可以獲得準確的結果。R50電阻分布圖可以表征薄膜均勻性、沉積質量及其它工藝波動。這張2μm AlCu薄膜的EC分布圖表征了一個偏心沉積并給出了量化結果。

4PP法是衡量離子注入工藝的標準測量技術。在熱退火后通過測試離子注入分布可以識別由于燈故障、晶圓/平臺接觸不良或注入劑量變化而引起的熱點和冷點。對于硅離子注入層，熱退火工藝對于活化摻雜離子是必要的。在右側的示例中，三個紅色（高電阻）區域表示了在離子注入退火工藝過程中熱損失最大的位置，對應三個晶圓支撐位置。溫度均勻性對于退火工藝至關重要，其中晶圓邊緣和支撐接觸區域的熱損失對于均勻性調控是一個巨大的挑戰。

通過采集的晶圓數據，R50可以繪制出方阻、薄膜厚度或電阻率分布圖。通過材料的電阻率，可以計算和顯示膜厚分布；或者通過膜厚數據，則可以計算電阻率分布。

RSMapper軟件將數據采集和強大的分析功能結合在一起，擁有直觀的可視化界面，即可以用于設備本身，也可以進行離線使用。軟件自帶的各種坐標布局工具可以幫助用戶輕松設置數據測量點。如圖所示，RSMapper可以通過2D或3D形式顯示測量結果，對關鍵的薄膜均勻性數據實現快速可視化展示。該軟件可以輕松地在各個測量參數分布圖和可旋轉的3D圖之間切換，以提供最優的自定義工藝參數視圖。無論是測量方阻、電阻率還是金屬膜厚，RSMapper都能提供令人嘆服的視圖數據。