半導體、硅晶圓、圖案化晶

 

 

 

薄膜缺陷     薄膜缺陷通常是由于工藝條件或涂覆薄膜之前留在表面上的先前污染而導致的涂層均勻性差而導致的薄膜缺失區域。這些缺陷可能導致性能低于標準，并造成良率損失。

 

 

 

 

 

薄膜均勻性     較大的薄膜缺陷區域會危及薄膜層或涂層的質量，從而導致薄膜均勻性問題。在傳統顯微鏡上，雖然基于小面積的分析，膠片看起來是均勻的，但在AT1系統上進行全掃描可以提供更全面的視圖。

 

 

 

 

 

粒子     半導體基板表面的顆粒可能由許多因素引起，通常在清潔或封裝階段。每個系統都使用拋光硅上的PSL球體進行校準。該過程證明了儀器檢測低至100nm的顆粒的能力。