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M系列小型手動探針臺
小型手動探針臺 Semishare

M系列小型手動探針臺

簡易,輕便,經濟型首選
兼容4/6寸平臺大小
測試器件的PAD點大于30μm
DC直流/(IV、CV、I-t、V-t),DC直流/低電流(100fA級)測試,1/f噪聲測試,器件表征測試,RF射頻
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E系列 增強型手動探針臺
小型手動探針臺 Semishare

E系列 增強型手動探針臺

更高分辨率,擴容至8寸片
兼容4/6/8寸平臺
能實現1μm以上的電極Pad測試
毫米波mmW,FA、MEMS、WLR和光電等測試
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H系列綜合性手動探針臺
小型手動探針臺 Semishare

H系列綜合性手動探針臺

更高效率和穩定性,擴容至12寸
兼容6/8/12寸平臺
卡盤移動技術,可滿足客戶對整片晶圓高效測試的需求
可搭配不同的套件實現更寬泛的測試功能
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FA系列 失效分析型探針臺
小型手動探針臺 Semishare

FA系列 失效分析型探針臺

多波段激光應用,快速切換精準切割
兼容1/2寸平臺
兼容高倍率金相顯微鏡,可達到1μm以上的Pad測試
高精度系統,激光加工精度可達1*1μm
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C系列 高低溫手動探針臺
小型手動探針臺 Semishare

C系列 高低溫手動探針臺

高低溫環境下電性能測試
兼容12寸平臺
高低溫環境下,0.2微米以上芯片內部線路/電極/PAD測試、高頻、射頻測試
高低溫環境下,LD/LED/PD測試,PCB/封裝器件測試,材料/器件的IV/CV特性測試
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CG真空高低溫探針臺
小型手動探針臺 Semishare

CG真空高低溫探針臺

國內率先自主研發推出的高低溫真空探針臺
兼容2/4寸平臺
探針定位精確為10um,探針漂移量優于土60nm/30mins的高精度點針
實現測試漏電精度達50FA
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X系列 半自動探針臺
半自動 探針臺 Semishare

X系列 半自動探針臺

綜合型半自動探針臺
集成了電學、光波、微波等多功能,半自動測試
兼容6/8/12寸平臺
可配備相應的儀器儀表,進行I-V、C-V、光信號、RF、1/f噪聲等特性分析,設備功能豐富
可升級大功率晶圓測試、射頻測試、全自動測試
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A系列 全自動探針臺
全自動 探針臺 Semishare

A系列 全自動探針臺

綜合型全自動探針臺
全自動化系統運行,快速安全可靠測試
兼容12寸平臺
CHUCK高效測試系統,運行速度超200mm/s
可升級自動wafer厚度測量和ID讀卡
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Candela CS920
KLA 表面缺陷檢測儀

Candela CS920

品 牌 :KLA
型 號 :Candela CS920
產 地 :美國
采用光學表面分析(OSA)專用技術的自動特征缺陷(DOI)檢測與分類系統。
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KLA Candela光學表面缺陷分析儀(OSA)可對半導體及光電子材料進行先進的表面檢測。Candela系列既能夠檢測Si、砷化鎵、磷化銦等不透明基板,又能對SiC、GaN、藍寶石和玻璃等透明材料進行檢測,成為其制程中品質管理及良率改善的有力工具。

 

 

 

?Candela系列采用光學表面分析(OSA)專用技術,可同時測量散射強度、形狀變化、表面反射率和相位轉移,為特征缺陷(DOI)進行自動偵測與分類。OSA檢測技術結合散射測量、橢圓偏光、反射測量與光學形狀分析等基本原理,以非破環性方式對Wafer表面的殘留異物,表面與表面下缺陷,形狀變化和薄膜厚度的均勻性進行檢測。Candela系列擁有良好的靈敏度,使用于新產品開發和生產管控,是一套極具成本效益的解決方案。

 

?二、 功能

????主要功能

????1. 缺陷檢測與分類

????2. 缺陷分析

????3. 薄膜厚度測量

????4. 表面粗糙度測量

????5. 薄膜應力檢測

????技術特點

????1. 單次掃描中結合四種光學檢測方法的單機解決方案,可實現高效的自動化缺陷檢測與分離;

????2. 對LED材料的缺陷進行自動檢測,從而增強襯底的質量管控,迅速確定造成缺陷的根本原因并改進MOCVD品質管控能力;

????3. 滿足多種工業要求,包括高亮度發光二極管(HBLED),高功率射頻電子器件,透明玻璃基板等技術;

????4. 在多個半導體材料系統中能更靈敏的檢測影響產品良率的缺陷。

????5. 自動缺陷分類功能(Auto Defect Classification)

(Particle, Scratch, Pit, Bump, and Stain Detection)

????6. 自動生成缺陷mapping。

????技術能力

????1. 檢測缺陷尺寸>0.3μm;

????2. 大樣品尺寸:8 inch Wafer;

????3. 超過30種DOI的缺陷分類。

????三、應用案例

????1. 透明/非透明材質表面缺陷檢測

2. MOCVD外延生長成膜缺陷管控

3. PR膜厚均一性評價

?4. Clean制程清洗效果評價

?5. Wafer在CMP后表面缺陷分析

 

 

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